?臺積電、世界先進GaN制程投片量大增，將進入收割期

受惠于5G即將邁入商轉及車用電子、物聯(lián)網大勢所趨，第三代半導體材料氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）進入快速成長期，國際IDM大廠高端產品相繼跨入第三代半導體材料制程，臺積電、世界先進GaN制程投片量大增，今、明兩年進入收割期。

臺積電與世界先進著手研發(fā)GaN制程技術多年，技術成熟進入量產，目前臺積電6英寸產能開出GaN制程提供德商戴樂格（Dialog）產出電源轉接芯片；而世界先進則與設備材料廠Kyma、轉投資GaN硅基板廠QROMIS攜手合作，在去年陸續(xù)為電源管理IC客戶開出8英寸產能。

Dialog指出，以GaN生產電源轉換控制器具備高效率、體積小、更高功率優(yōu)異特性，帶來全世界最快速的電晶體。集邦科技旗下拓墣產業(yè)研究指出，GaN與SiC除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計。