?臺(tái)積電、世界先進(jìn)GaN制程投片量大增，將進(jìn)入收割期

受惠于5G即將邁入商轉(zhuǎn)及車用電子、物聯(lián)網(wǎng)大勢(shì)所趨，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）進(jìn)入快速成長(zhǎng)期，國(guó)際IDM大廠高端產(chǎn)品相繼跨入第三代半導(dǎo)體材料制程，臺(tái)積電、世界先進(jìn)GaN制程投片量大增，今、明兩年進(jìn)入收割期。

臺(tái)積電與世界先進(jìn)著手研發(fā)GaN制程技術(shù)多年，技術(shù)成熟進(jìn)入量產(chǎn)，目前臺(tái)積電6英寸產(chǎn)能開出GaN制程提供德商戴樂格（Dialog）產(chǎn)出電源轉(zhuǎn)接芯片；而世界先進(jìn)則與設(shè)備材料廠Kyma、轉(zhuǎn)投資GaN硅基板廠QROMIS攜手合作，在去年陸續(xù)為電源管理IC客戶開出8英寸產(chǎn)能。

Dialog指出，以GaN生產(chǎn)電源轉(zhuǎn)換控制器具備高效率、體積小、更高功率優(yōu)異特性，帶來全世界最快速的電晶體。集邦科技旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究指出，GaN與SiC除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì)，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡(jiǎn)化周邊電路的設(shè)計(jì)。